IGBT

IGBT транзистор

Транзистор

Транзисторът е основен полупроводников елемент, който се състои от три извода и три последователно съединени зони с различно легиране, което определя прехода на транзистора (PNP или NPN). Основната му задача е усилване, комутация и преобразуване на електрически сигнали и част от всички съвременни електрически устройства.

Биполярен транзистор с изолиран гейт (IGBT)

Наименованието IGBT идва от Insulated-Gate Bipolar Transistor. IGBT e триелектроден биполярен мощен електронен елемент използван главно като мощен електронен ключ в импулсни захранвания, инвертори и в системи за контрол на електрически задвижвания. IGBT съчетава качествата на два транзистора: полевите и биполярните - високо входно съпротивление при ниско ниво на управляващата мощност, както и ниска остатъчна стойност на напрежението при включено състояние. Съчетава много висок импеданс на полевия транзистор с превключване към биполярен транзистор. Изключително популярен е в съвременните електромобили и навсякъде където е необходимо превключване на големи токове.