За регистрирани потребители – Безплатна икономична доставка със Спиди в България при поръчка над 150лв. с ДДС (до 30кг)

Продукти

0700 45 445 Стационарен

Вашата количка е празна

Tранзистор G12NA60A4, MOS-N-FET, 600 V, 12 A, 0.6 Ohm, 190 W

Оценка:

Оцени продукта Добави в желани

Цена: 5.50 лв. с ДДС

Брой	1+	5+	10+	25+
Каталожна цена	5.50 лв. с ДДС	5.225 лв. с ДДС	4.95 лв. с ДДС	4.675 лв. с ДДС

Тегло: 0.005 кг

Брой: 0

Уведоми ме, когато продуктът е наличен

Каталожен номер: 13395

Модел: G12NA60A4
Тип: N-канален
Максимално напрежение дрейн-сорс: 600 V
Максимално напрежение гейт-сорс: 30 V
Съпротивление дрейн-сорс: 0.6 Ohm
Максимален ток на дрейна: 12 A
Мощност: 190 W
Корпус: TO-218
Монтаж: THT

Технически параметри на Tранзистор G12NA60A4, MOS-N-FET, 600 V, 12 A, 0.6 Ohm, 190 W

Тип транзистор:

N-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

600 [V]

Максимален ток на дрейна :

12 [A]

Работна температура:

-65~150 [°C]

Съпротивление дрейн-сорс при 25°С:

0.55 [ohm]

Мощност Pd:

190 [W]

Корпус:

TO-247

Максимално напрежение гейт - сорс Ugs:

±30 [V]

Модел:

12NC60

Монтаж:

THT

Диод:

не

Техническа документация на Tранзистор G12NA60A4, MOS-N-FET, 600 V, 12 A, 0.6 Ohm, 190 W

Datasheet PDF, 207.12 KB

Използваме бисквитки, за да подобрим работата Ви с нашия сайт. Използвайки този сайт, Вие се съгласявате с нашите условия. Разбрах