Безплатна доставка със Спиди за България до адрес над € 100, до офис над € 75 (до 30 кг) • до автомат над € 50 ^ново

BG

Продукти

Вашата количка е празна

Tранзистор 20N60, MOS-N-FET, 600 V, 20 A, 0.15 Ohm, 165 W

Tранзистор 20N60, MOS-N-FET, 600 V, 20 A, 0.15 Ohm, 165 W

Tранзистор 20N60, MOS-N-FET, 600 V, 20 A, 0.15 Ohm, 165 W

Производител:

TOSHIBA

Модел:

20N60W

Тегло:

0.006 кг

Наличност

Няма наличност онлайн

На място, магазин Викиват

цената на място може да е различна

1 бр.

Possible speedy APS

€ 4.90

Извести ме при наличност Затвори

Уведоми ме, когато продуктът е наличен

Каталожен номер: 12702

Характеристики Файлове Ревюта

Сигнализирай за грешка

Характеристики

Технически параметри на Tранзистор 20N60, MOS-N-FET, 600 V, 20 A, 0.15 Ohm, 165 W

Марка:

TOSHIBA

Тип транзистор:

N-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

600 [V]

Максимален ток на дрейна :

20 [A]

Работна температура:

-55~150 [°C]

Съпротивление дрейн-сорс при 25°С:

0.13 [ohm]

Мощност Pd:

165 [W]

Корпус:

TO-247

Максимално напрежение гейт - сорс Ugs:

±30 [V]

Модел:

20N60W

Монтаж:

THT

Диод:

да

Файлове

Техническа документация на Tранзистор 20N60, MOS-N-FET, 600 V, 20 A, 0.15 Ohm, 165 W

20N60 PDF, 176.25 KB

Ревюта

Трябва да сте регистриран потребител за да можете да напишете ревю или да оцените продукта.

Благодарим Ви, че ни помагате да подобрим вашето потребителско изживяване в сайта.

Tранзистор 20N60, MOS-N-FET, 600 V, 20 A, 0.15 Ohm, 165 W

Каталожен номер

12702

Производител / Модел

TOSHIBA / 20N60W

Моля посочете грешката, която срещнахте.

Техническа характеристика

Описание на продукта

Изображение на продукта

Техническа документация (файлове)

Друго

Вашият коментар Вашият имейл адрес *

Антиспам верификация:

Последно разгледани

Капацитивен датчик, VLJC18A3-B/P3, M18x70mm, 6-36VDC, NO+NC, обхват 10mm, неекраниран

Безжични слушалки

Изтрий последно разгледани