БЕЗПЛАТНА ДОСТАВКА за България със СПИДИ над € 75 / до 30кг.

BG

Продукти

Вашата количка е празна

Транзистор 2SK2611, MOS-N-FET, 900 V, 9 A, 1.1 Ohm, 150 W, SC65

Транзистор 2SK2611, MOS-N-FET, 900 V, 9 A, 1.1 Ohm, 150 W, SC65

Транзистор 2SK2611, MOS-N-FET, 900 V, 9 A, 1.1 Ohm, 150 W, SC65, с ценеров диод

Модел:

2SK2611

Тегло:

0.011 кг

Наличност

Няма наличност онлайн

На място, магазин Викиват

цената на място може да е различна

изчерпан

€ 8.20 / 16.04 лв

Извести ме при наличност Затвори

Уведоми ме, когато продуктът е наличен

Каталожен номер: 94731

Характеристики Файлове Ревюта

Сигнализирай за грешка

Характеристики

Технически параметри на Транзистор 2SK2611, MOS-N-FET, 900 V, 9 A, 1.1 Ohm, 150 W, SC65

Тип транзистор:

N-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

900 [V]

Максимален ток на дрейна :

9 [A]

Работна температура:

-55~150 [°C]

Съпротивление дрейн-сорс при 25°С:

1.1 [ohm]

Мощност Pd:

150 [W]

Корпус:

SC-65

Максимално напрежение гейт - сорс Ugs:

±30 [V]

Модел:

2SK2611

Монтаж:

THT

Диод:

диод и ценер диод

Файлове

Техническа документация на Транзистор 2SK2611, MOS-N-FET, 900 V, 9 A, 1.1 Ohm, 150 W, SC65

2SK2611 - TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type PDF, 415.28 KB

Ревюта

Трябва да сте регистриран потребител за да можете да напишете ревю или да оцените продукта.

Благодарим Ви, че ни помагате да подобрим вашето потребителско изживяване в сайта.

Транзистор 2SK2611, MOS-N-FET, 900 V, 9 A, 1.1 Ohm, 150 W, SC65

Каталожен номер

94731

Модел

2SK2611

Моля посочете грешката, която срещнахте.

Техническа характеристика

Описание на продукта

Изображение на продукта

Техническа документация (файлове)

Друго

Вашият коментар Вашият имейл адрес *

Антиспам верификация:

Последно разгледани

Транзистор BUZ10, MOS-N-FET, 50 V, 23 A, 75 W, 0.06 Ohm

Транзистор IRFS630

Изтрий последно разгледани