БЕЗПЛАТНА ДОСТАВКА за България със СПИДИ над € 75 / до 30кг.

BG

Продукти

Вашата количка е празна

Транзистор BF960, MOS-N-FET, 20 V, 30 mA, 200 mW, 900 MHz, два гейта

Транзистор BF960, MOS-N-FET, 20 V, 30 mA, 200 mW, 900 MHz, два гейта

Транзистор BF960, MOS-N-FET, 20 V, 30 mA, 200 mW, 900 MHz, два гейта

Модел:

BF960

Тегло:

0.017 кг

Наличност

Няма наличност онлайн

На място, магазин Викиват

цената на място може да е различна

изчерпан

€ 0.43 / 0.84 лв

Извести ме при наличност Затвори

Уведоми ме, когато продуктът е наличен

Каталожен номер: 4933

Характеристики Файлове Ревюта

Характеристики

Технически параметри на Транзистор BF960, MOS-N-FET, 20 V, 30 mA, 200 mW, 900 MHz, два гейта

Тип транзистор:

N-Dual Gate-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

20 [V]

Максимален ток на дрейна :

0.03 [A]

Работна температура:

-55~150 [°C]

Мощност Pd:

0.2 [W]

Корпус:

TO-50

Максимално напрежение гейт - сорс Ugs:

20 [V]

Модел:

BF960

Монтаж:

THT

Диод:

не

Файлове

Техническа документация на Транзистор BF960, MOS-N-FET, 20 V, 30 mA, 200 mW, 900 MHz, два гейта

BF960 PDF, 570.49 KB

Ревюта

Трябва да сте регистриран потребител за да можете да напишете ревю или да оцените продукта.