Безплатна доставка със Спиди за България до адрес над € 100, до офис над € 75 (до 30 кг) • до автомат над € 50 ^ново

BG

Продукти

Вашата количка е празна

Транзистор IRF2804, MOS-N-FET, 40 V, 75 A, 2 mOhm, 330 W

Транзистор IRF2804, MOS-N-FET, 40 V, 75 A, 2 mOhm, 330 W

Транзистор IRF2804, MOS-N-FET, 40 V, 75 A, 2 mOhm, 330 W

Модел:

IRF2804

Тегло:

0.011 кг

Купи на изплащане с tbi bank

за обща стойност на количката над € 50

Наличност

Наличен онлайн

2 бр.

На място, магазин Викиват

цената на място може да е различна

изчерпан

Виж количества

Possible speedy APS

€ 7.93

Купи на изплащане с tbi bank

за обща стойност на количката над € 50

Каталожен номер: 5058

Характеристики Файлове Ревюта

Сигнализирай за грешка

Характеристики

Технически параметри на Транзистор IRF2804, MOS-N-FET, 40 V, 75 A, 2 mOhm, 330 W

Тип транзистор:

N-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

40 [V]

Максимален ток на дрейна :

75 [A]

Работна температура:

-55~175 [°C]

Съпротивление дрейн-сорс при 25°С:

0.002 [ohm]

Мощност Pd:

330 [W]

Корпус:

TO-220AB

Максимално напрежение гейт - сорс Ugs:

±20 [V]

Модел:

IRF2804

Монтаж:

THT

Диод:

да

Файлове

Техническа документация на Транзистор IRF2804, MOS-N-FET, 40 V, 75 A, 2 mOhm, 330 W

IRF2804 PDF, 276.55 KB

Ревюта

Трябва да сте регистриран потребител за да можете да напишете ревю или да оцените продукта.

Благодарим Ви, че ни помагате да подобрим вашето потребителско изживяване в сайта.

Транзистор IRF2804, MOS-N-FET, 40 V, 75 A, 2 mOhm, 330 W

Каталожен номер

5058

Модел

IRF2804

Моля посочете грешката, която срещнахте.

Техническа характеристика

Описание на продукта

Изображение на продукта

Техническа документация (файлове)

Друго

Вашият коментар Вашият имейл адрес *

Антиспам верификация:

Последно разгледани

Флаш памет SILICON POWER, SP032GBUF3M02V1S, 32GB, USB 3.0

Флаш памет TEAM GROUP TT183316GF01 16GB USB3.0

Изтрий последно разгледани