Безплатна доставка със Спиди за България до адрес над € 100, до офис над € 75 (до 30 кг) • до автомат над € 50 ^ново

BG

Продукти

Вашата количка е празна

Транзистор IRF822, MOS-N-FET, 500 V, 2.2 A, 4 Ohm, 50 W

Транзистор IRF822, MOS-N-FET, 500 V, 2.2 A, 4 Ohm, 50 W

Транзистор IRF822, MOS-N-FET, 500 V, 2.2 A, 4 Ohm, 50 W

Модел:

IRF822

Тегло:

0.011 кг

Купи на изплащане с tbi bank

за обща стойност на количката над € 50

Наличност

Наличен онлайн

60 бр.

На място, магазин Викиват

цената на място може да е различна

5 бр.

Виж количества

Possible speedy APS

€ 1.38

Купи на изплащане с tbi bank

за обща стойност на количката над € 50

Каталожен номер: 4881

Характеристики Файлове Ревюта

Сигнализирай за грешка

Характеристики

Технически параметри на Транзистор IRF822, MOS-N-FET, 500 V, 2.2 A, 4 Ohm, 50 W

Тип транзистор:

N-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

500 [V]

Максимален ток на дрейна :

2.2 [A]

Работна температура:

-55~150 [°C]

Съпротивление дрейн-сорс при 25°С:

4 [ohm]

Мощност Pd:

50 [W]

Корпус:

TO-220

Максимално напрежение гейт - сорс Ugs:

±20 [V]

Модел:

IRF822

Монтаж:

THT

Диод:

да

Файлове

Техническа документация на Транзистор IRF822, MOS-N-FET, 500 V, 2.2 A, 4 Ohm, 50 W

IRF822 PDF, 326.81 KB

Ревюта

Трябва да сте регистриран потребител за да можете да напишете ревю или да оцените продукта.

Благодарим Ви, че ни помагате да подобрим вашето потребителско изживяване в сайта.

Транзистор IRF822, MOS-N-FET, 500 V, 2.2 A, 4 Ohm, 50 W

Каталожен номер

4881

Модел

IRF822

Моля посочете грешката, която срещнахте.

Техническа характеристика

Описание на продукта

Изображение на продукта

Техническа документация (файлове)

Друго

Вашият коментар Вашият имейл адрес *

Антиспам верификация:

Последно разгледани

Brennenstuhl 1159400015

Изтрий последно разгледани