БЕЗПЛАТНА ДОСТАВКА за България със СПИДИ над 150лв. / до 30кг.

BG

Продукти

Email

Парола

Забравена парола

Нямате акаунт? Регистрирай нов акаунт

Вашата количка е празна

Транзистор IRF830, MOS-N-FET, 500 V, 5.9 A, 1.5 Ohm, 125 W

Транзистор IRF830, MOS-N-FET, 500 V, 5.9 A, 1.5 Ohm, 125 W

Транзистор IRF830, MOS-N-FET, 500 V, 5.9 A, 1.5 Ohm, 125 W

Модел:

IRF830

Тегло:

0.011 кг

Наличност

Наличен онлайн

18 бр.

На място, магазин Викиват

цената на място може да е различна

6 бр.

Виж количества

2.64 лв. с ДДС

Цени за количества (с ДДС)

1+

2.64 лв.

5+

2.51 лв.

10+

2.38 лв.

25+

2.24 лв.

50+

2.11 лв.

Каталожен номер: 4882

Характеристики Файлове Ревюта

Характеристики

Технически параметри на Транзистор IRF830, MOS-N-FET, 500 V, 5.9 A, 1.5 Ohm, 125 W

Тип транзистор:

N-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

500 [V]

Максимален ток на дрейна :

5.9 [A]

Работна температура:

-55~150 [°C]

Съпротивление дрейн-сорс при 25°С:

1.5 [ohm]

Мощност Pd:

125 [W]

Корпус:

TO-220

Максимално напрежение гейт - сорс Ugs:

±20 [V]

Модел:

IRF830

Монтаж:

THT

Диод:

да

Файлове

Техническа документация на Транзистор IRF830, MOS-N-FET, 500 V, 5.9 A, 1.5 Ohm, 125 W

IRF830 PDF, 60.67 KB

Ревюта

Трябва да сте регистриран потребител за да можете да напишете ревю или да оцените продукта.