За регистрирани потребители – Безплатна икономична доставка със Спиди в България при поръчка над 150лв. с ДДС (до 30кг)

Продукти

0700 45 445 Стационарен

Вашата количка е празна

Транзистор IRF830, MOS-N-FET, 500 V, 5.9 A, 1.5 Ohm, 125 W

Оценка:

Оцени продукта Добави в желани

Цена: 2.50 лв. с ДДС

Брой	1+	5+	10+	25+	50+
Каталожна цена	2.50 лв. с ДДС	2.375 лв. с ДДС	2.25 лв. с ДДС	2.125 лв. с ДДС	2.00 лв. с ДДС

Тегло: 0.010 кг

Брой: 4

Каталожен номер: 4882

Модел: IRF830
Тип: N-канален
Максимално напрежение дрейн-сорс: 500 V
Максимално напрежение гейт-сорс: ±30 V
Съпротивление дрейн-сорс: 1.5 Ohm
Максимален ток на дрейна: 5.9 A
Мощност: 125 W
Корпус: TO-220AB
Монтаж: THT

Технически параметри на Транзистор IRF830, MOS-N-FET, 500 V, 5.9 A, 1.5 Ohm, 125 W

Тип транзистор:

N-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

500 [V]

Максимален ток на дрейна :

5.9 [A]

Работна температура:

-55~150 [°C]

Съпротивление дрейн-сорс при 25°С:

1.5 [ohm]

Мощност Pd:

125 [W]

Корпус:

TO-220

Максимално напрежение гейт - сорс Ugs:

±20 [V]

Модел:

IRF830

Монтаж:

THT

Диод:

да

Техническа документация на Транзистор IRF830, MOS-N-FET, 500 V, 5.9 A, 1.5 Ohm, 125 W

IRF830 PDF, 60.67 KB

Използваме бисквитки, за да подобрим работата Ви с нашия сайт. Използвайки този сайт, Вие се съгласявате с нашите условия. Разбрах