Транзистор IRF620PBF MOS-N-FET 200V, 5.2A, 50W, 0.8 Ohm, TO220

Оценка:

Транзистор IRF620PBF MOS-N-FET 200 V, 5.2 A, 50 W, 0.8 Ohm, TO220

Оцени продукта Добави в желани

Производител: VISHAY

Цена: 1.20лв. с ДДС

Брой	1+	3+	5+	10+	25+
Каталожна цена	1.20лв. с ДДС	1.14лв. с ДДС	1.08лв. с ДДС	1.02лв. с ДДС	0.96лв. с ДДС

Каталожен номер: 4957

Тегло: 0.002 кг

Брой: 86

Модел: IRF620PBF
Тип: N-канален
Напрежение на пробив дрейн-сорс: 200 V
Максимално напрежение гейт-сорс: ±20 V
Съпротивление дрейн-сорс при 25°C: 0.8 Ohm
Предавателна проводимост: 3.5 S
Максимален постоянен ток на дрейна при 25°C: 5.2 A
Входен капацитет: 460 pF
Общ заряд на гейта: 20 nC
Мощност: 50 W
Корпус: TO-220
Монтаж: tht

Марка:

VISHAY

Тип транзистор:

N-MOSFET

Максимално напрежение дрейн - сорс Uds:

200 [V]

Максимален ток на дрейна :

3.3 [A]

Работна температура:

-55~150 [°C]

Съпротивление дрейн-сорс при 25°С:

0.8 [ohm]

Мощност Pd:

50 [W]

Корпус:

TO-220

Модел:

IRF620

Монтаж:

THT

Диод:

да

IRF620PBF PDF, 153.61 KB

Свързани продукти

Използваме бисквитки, за да подобрим работата Ви с нашия сайт. Използвайки този сайт, Вие се съгласявате с нашите условия. Разбрах